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        蒸發(fā)技術(shù):

        從標(biāo)準(zhǔn)和定制蒸發(fā)源的全部范圍中進(jìn)行選擇，并使用石英和光學(xué)監(jiān)控器對(duì)速率和層厚進(jìn)行源控制。

        結(jié)合先進(jìn)的過(guò)程控制技術(shù)來(lái)控制涂層自身的應(yīng)力，溫度分布或光學(xué)特性，蒸發(fā)源可實(shí)現(xiàn)金屬，電介質(zhì)和TCO的精確沉積，適用于各種應(yīng)用，包括功率器件，無(wú)線，LED，MEMS和光子學(xué)。

        熱源

        船，燈絲源和大容量桶狀源，用于數(shù)百納米的厚層。

        電子束蒸發(fā)

        帶有縱向光束掃描的車身

        帶有噴槍的系統(tǒng)，以及用于較厚層的單，多口袋和大容量坩堝的全數(shù)字光束掃掠儀。

        帶有坩堝轉(zhuǎn)塔系統(tǒng)的定制電子槍震源，用于特殊應(yīng)用，并延長(zhǎng)了震源維護(hù)之間的產(chǎn)品時(shí)間。

        滲出池技術(shù)

        高穩(wěn)定性的“散布源”可用于高溫和低蒸氣壓材料的定制應(yīng)用，或在共沉積應(yīng)用中需要特殊低摻雜速率的應(yīng)用。

        等離子體離子輔助蒸發(fā)（PIAD）

        離子源技術(shù)可為光子學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用提供更低的工藝溫度，更短的工藝時(shí)間以及增強(qiáng)的薄膜性能。

 HCVAC專有的陰極技術(shù)和平臺(tái)專為批量生產(chǎn)中的高速率和長(zhǎng)目標(biāo)壽命而設(shè)計(jì)，以最低的擁有成本。我們根據(jù)整個(gè)核心市場(chǎng)的基板格式，工藝和產(chǎn)量以及客戶工廠集成需求提供垂直和水平濺射生產(chǎn)解決方案.

 水平濺射架構(gòu)：這只是Hcvac提供的一系列核心工藝功能和具有水平濺射功能的平臺(tái)的一小部分

 沉積用于MEMS，無(wú)線通信和LED的高性能AlN（和AlScN）層- 

 沉積用于晶圓級(jí)光學(xué)（WLO）的高通量光子學(xué)應(yīng)用的精密光學(xué)疊層- 
      沉積高級(jí)封裝中的金屬層和疊層（UBM / RDL ），電源設(shè)備，無(wú)線通信，晶圓級(jí)EMI屏蔽或PCB接種

  HCVAC的濺射功能，分別支持最大200mm，300mm，380mm和650mm的基板格式。

  高速率直流，直流脈沖，DC / RF源，帶有可選偏置
       “多”濺射技術(shù)，具有多達(dá)4個(gè)源，用于合金和化合物的共沉積
       專有的源技術(shù)包括“ Penta Plus”和多達(dá)6個(gè)濺射陰極，可實(shí)現(xiàn)出色的階梯覆蓋
       用于光學(xué)應(yīng)用中的TSV工藝和定制硬涂層工藝的高度電離濺射（HIS）技術(shù)
       集成了先進(jìn)的過(guò)程控制技術(shù)，包括等離子發(fā)射監(jiān)視（PEM）和用于過(guò)程控制的光學(xué)監(jiān)視技術(shù)
       盒式磁帶到盒式磁帶的處理

  垂直濺射架構(gòu)

  矩形陰極技術(shù)可在垂直濺射平臺(tái)上使用，可在MEMS，光電子和光子學(xué)應(yīng)用中高效批量生產(chǎn)TCO，金屬，電介質(zhì)和對(duì)準(zhǔn)的磁性膜，最大基板尺寸為380 X 560mm。

  基板尺寸之間的簡(jiǎn)單交換，可快速改變生產(chǎn)要求

蝕刻和PIAD技術(shù)

       在匯成產(chǎn)品組合中的每個(gè)平臺(tái)上均可使用Etch和/或PIAD功能進(jìn)行集成。

       從金屬蝕刻到在Fanout晶圓級(jí)或面板級(jí)封裝（FOWLP和FOPLP）中對(duì)有機(jī)基板的高通量處理，再到具有出色附著力的厚光學(xué)疊層的沉積，匯成均可提供定制的蝕刻和PIAD源和工藝。這只是匯成功能的一些示例。

       金屬蝕刻
       在BAK平臺(tái)上可以進(jìn)行“原位”蝕刻和深加工 。在垂直濺射平臺(tái)內(nèi)，負(fù)載鎖定室可配備脫氣，加熱和RF或離子束蝕刻功能，以進(jìn)行預(yù)清潔并改善薄膜附著力。我們?cè)诒【A上的先進(jìn)背面金屬化工藝包括可控制應(yīng)力和溫度的預(yù)蝕刻，可形成高質(zhì)量的歐姆接觸，而不會(huì)造成晶圓彎曲或翹曲.

      高級(jí)包裝

    專用ICP Arctic Etch技術(shù)將冷ICP反應(yīng)器技術(shù)與脫氣和濺射技術(shù)結(jié)合使用，以在FOWLP等典型應(yīng)用中在高度脫氣的有機(jī)基材上實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的接觸電阻（Rc）值。匯成充分利用了晶圓級(jí)應(yīng)用程序中的知識(shí)，為FOPLP和高級(jí)PCB處理帶來(lái)功能。

       PIAD用于穩(wěn)定電介質(zhì)

       BAK蒸發(fā)器，濺射濺射儀和垂直濺射儀上的源技術(shù) 與先進(jìn)的過(guò)程控制技術(shù)（如光學(xué)監(jiān)控，等離子輻射監(jiān)測(cè)和原位再優(yōu)化）相結(jié)合，可通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射法沉積穩(wěn)定的復(fù)雜光學(xué)層

       請(qǐng)根據(jù)您的應(yīng)用要求與我們聯(lián)系以獲取有關(guān)我們?cè)赑ECVD中的功能的完整詳細(xì)信息

       PECVD技術(shù)可實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓的高均勻性，無(wú)針孔膜，可調(diào)節(jié)的折射率以及控制從拉伸到壓縮的膜應(yīng)力。

       PECVD解決方案的優(yōu)勢(shì)
       定制解決方案
       知道如何在低溫過(guò)程中
       經(jīng)驗(yàn)證的MEMS，LED和光子學(xué)工藝

光學(xué)結(jié)構(gòu)實(shí)時(shí)優(yōu)化工藝：實(shí)時(shí)監(jiān)控當(dāng)前鍍膜結(jié)果，當(dāng)膜層厚度（光學(xué)厚度）偏離設(shè)定值時(shí)，對(duì)下一層進(jìn)行重新計(jì)算和修正，以糾正錯(cuò)誤或反向補(bǔ)償偏差。

可單通道、六通道或十二通道，單材料或多材料沉積的工藝中高精度膜厚監(jiān)控

射頻感應(yīng)耦合等離子體源（ICP)的優(yōu)勢(shì)

提高等離子密度，尤其是惰性反應(yīng)氣體的離化率

高能粒子轟擊，提高薄膜致密度

提高成膜質(zhì)量，可避免高溫工藝

改變薄膜晶體結(jié)構(gòu)從而改變薄膜化學(xué)或電學(xué)性能