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原子層沉積

ALD涂層設(shè)備

Atomic Layer Deposition Coater
真空應(yīng)用解決方案提供商
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Atomic Layer Deposition Coater 原子層沉積(ALD)鍍膜機(jī)

原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)是通過氣相前驅(qū)體及反應(yīng)物脈沖交替的通入反應(yīng)腔并在基底上發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的一種方法,通過自限制性的前驅(qū)體交替飽和反應(yīng)獲得厚度、組分、形貌及結(jié)構(gòu)在納米尺度上高度可控的薄膜。

ALD設(shè)備提供創(chuàng)新和靈活的設(shè)計(jì),為MEMS和復(fù)雜的3D表面沉積高質(zhì)量的光學(xué)薄膜,顯著提高鍍膜產(chǎn)品的性能和使用壽命,設(shè)備運(yùn)行速度快、可靠性高且極易維護(hù)。

特點(diǎn):

?熱法原子層沉積(TALD)和等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)可選
?批量鍍膜加工(基材尺寸:8",10",12")
?低溫工藝,塑料基材可鍍
?3D表面鍍膜高保形性
?薄膜均勻、光滑、致密、無針孔
?膜厚精確控制

Product Advantage.

產(chǎn)品特點(diǎn)
原子層沉積(ALD)鍍膜機(jī)包括以下關(guān)鍵功能:
  • TALD/PEALD
  • 曲面鍍膜
  • 低溫工藝
  • 高保形性
  • 薄膜均勻
  • 膜厚精控
型號 HC-ALD10
真空室 Φ800 x H1300mm
成膜室 Φ350 x H1000mm
成膜室抽速 8.0×10-2Pa≤25min
成膜室極限真空度 8.0×10-4Pa
沉積溫度 Max. 130℃
基片架 10"×48pcs
等離子源 RF 等離子體源
前驅(qū)體供給源 前驅(qū)體源瓶、ALD 閥門、前驅(qū)體(BDEAS、TMA等)
排氣系統(tǒng) 干泵 + 低溫泵

Application cases.

應(yīng)用案例
型號 HC-ALD10
真空室 Φ1000 x H1300mm
成膜室 Φ400 x H1000mm
成膜室抽速 8.0×10-2Pa≤25min
成膜室極限真空度 8.0×10-4Pa
沉積溫度 Max. 130℃
基片架 12"×48pcs
等離子源 RF 等離子體源
前驅(qū)體供給源 前驅(qū)體源瓶、ALD 閥門、前驅(qū)體(BDEAS、TMA等)
排氣系統(tǒng) 干泵 + 低溫泵

Application cases.

應(yīng)用案例
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電話:13316689188

郵箱:office@hcvac.com

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