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HCSH系列

功能性薄膜

涂層設備

Functional film coating equipment
真空應用解決方案提供商
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Custom functional coating equipment 定制功能性涂層設備

您自己公司的涂層專家:公司涂層生產的全套解決方案

      通過由涂層設備和全方位的服務組成的完整的產品包,匯成確保您輕松進入涂層世界。從這里開始,我們將針對您的需求調整我們的技術以實現兩者的最優匹配。

      針對每一個客戶,我們都量身訂做個性化涂層解決方案,并將其融入您已有的涂層設備中,以方便您利用已有的涂層設備和涂層系統,將整套新的制造工藝與您的需求相結合,確保生產的快速和高效。

      作為您的項目合作伙伴,匯成承擔為您制定全套涂層解決方案的責任。我們的客戶服務團隊將針對項目進度、場地布置和接口管理提供詳細的規劃,針對不同國家的具體情況提供詳盡的澄清,如需要,也可在您與社會公共機構溝通時為您提供相應的支持服務,最終將向您提供一個完工的、可以隨時投產的涂層生產廠。

PVD工具鍍,初次涉足者的機遇

      通過提高工具表面的硬度而提高耐摩擦能力和耐氧化能力,PVD涂層正得到越來越廣泛地應用。PVD(物理氣相沉積)技術不僅是對環境無污染,而且能夠充分地提高工具的生產能力。PVD行業是近來快速發展的行業,并且也是利潤可觀的行業。所以,越來越多的商業涂層商,修磨中心和工具制造廠家投資PVD設備。

工具修磨商和制造商

      對于工具修磨商和制造商而言,操作的快速性和靈活性是很重要的,這也是在競爭中勝出競爭對手的一個方法。對于商業鍍膜服務商而言,夜間自動生產成為可能。采用自主的PVD鍍膜設備,工具制造商能夠更好的控制工具產品質量。諸多優點促進了PVD技術的使用。

容易掌握

      對于很多不熟悉PVD的人來說,PVD似乎很復雜。然而,如果能夠正確的投資并得到有力的支持,PVD比想象的要容易的多。匯成真空開發的“交鑰匙”解決方案,使得PVD鍍膜生產很容易地實現。完整的鍍膜生產線包括:脫膜(視工件情況而定);前處理;質量控制;清洗&烘干;裝夾&目測檢驗;鍍膜;質量控制&厚度測量及后處理(視具體應用)。這些工序都可以來源于同一個供貨商的解決方案:匯成真空技術鍍層,包括成熟的工藝技術和鍍層。


主要模塊
Arc HiPIMS
創新的APA蒸發器技術(先進的等離子輔助)基于陰極真空電弧,為新的層結構提供了多種開發可能性。
優勢:
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉積率高
●磁場可調節
●靶材更換時間短
●等離子體密度高
●完美的涂層結合力
HiPIMS代表高功率脈沖磁控濺射。
優勢:
●離化率高(類似于電弧法)
●高功率密度,從 100 到1000 W/cm2
●等離子密度非常高
●可以通過等離子參數設置來調節層結構
●涂層非常光滑
●完美的涂層結合力
●在低基材溫度下沉積致密的涂層
其他模塊
濺射 氮化
在濺射工藝中,通過高能離子(Ar)轟擊靶材,分離成原子進而轉化成氣相。通過結合濺射材料和其他氣體,將涂層沉積在基材上。
優勢:
●可以濺射多種材料
●多種工藝變量可用
●光滑的涂層
●結合功率刻蝕工藝AEGD獲得好的涂層結合力
使用氮化模塊,可在同一個系統、同一個批次,在PVD和/或PACVD涂層工藝之前進行等離子氮化工藝。由此生成一個硬化層,為后續的PVD/PACVD涂層提供完美的支撐。
優勢:
●優化工具和零部件屬性
●替代昂貴的基材
●顯著延長壽命
●可以應用所有PVD涂層
DLC ta-C
DLC就是類金剛石涂層,指一系列具有超低摩擦系數的非晶碳涂層。使用DLC模塊,可以通過使用PVD和/或PACVD工藝來生成不同的DLC涂層。標準DLC涂層包括不含金屬或含金屬的碳基涂層。
優勢:
●完美的涂層結合力
●高耐磨性
●低摩擦系數
●光滑的涂層
ta-C 就是不含氫的四面體非晶碳,指的是一組極硬、低摩擦的非晶碳涂層。使用ta-C模塊可以生產不同的ta-C涂層。
優勢:
●適用于比DLC更高的溫度環境
●非常高的耐磨性
●完美的涂層結合力
●光滑的涂層

Product Advantage.

產品特點
HCSH系列功能性薄膜涂層設備包括以下關鍵功能:
  • 定制化

    量身訂做個性化涂層解決方案

  • 一致性

    整個腔室中均勻的鍍膜沉積速率

  • 簡單

    易于操作維護

  • 模塊化

    多種工藝技術靈活組合

  • 低溫

    低溫工藝適合金屬和塑料部件

  • 監控

    本地或遠程監控鍍膜過程

型號 HCSH-400
有效等離子區域 D400×H450mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×4軸
最大裝載量 200KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統

Application cases.

應用案例
型號 HCSH-650
有效等離子區域 D650×H750mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×8軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統
型號 HCSH-900
有效等離子區域 D900×H1200mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統
型號 HCSH-1800
有效等離子區域 D900×H1500mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統
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電話:13316689188

郵箱:office@hcvac.com

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